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6N139_138

The 6N138 and 6N139 series combine an AlGaAs infrared emitting diode as the emitter which is optically coupled to a silicon high speed photo darlington transistor in a plastic DIP8 package with different lead forming options. A separate design between photodiode and darlington transistor reduces the base-collector capacitance of the input transistor which improves the speed by several orders of magnitude over conventional phototransistor optocouplers.
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所属分类
达林顿光耦
数量
-
+
1
基本信息
产品参数

Features

  • High isolation 5000 VRMS
  • DC input with transistor output
  • Operating temperature range - 40°C to 100 °C
  • REACH compliance
  • Halogen free (Optional)
  • MSL class 1
  • Regulatory Approvals
  • UL - UL1577
  • VDE - EN60747-5-5(VDE0884-5)
  • CQC - GB4943.1

Applications  

  • Low current line receivers
  • Current loop receivers
  • Out interface to CMOS-LSTTL-TTL
  • Pulse transformer replacement
  • Computer-peripheral interface
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ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

Value

Unit

Note

INPUT

Forward Current

IF

25

mA

 

Peak Forward Current

IFP

50

mA

1

Peak Transient Current

IF(trans)

1

A

2

Reverse Voltage

VR

5

V

 

Input Power Dissipation

PI

100

mW

 

OUTPUT

Supply Voltage

VCC

-0.5~18

V

 

Output Voltage

VO

-0.5~18

V

 

Output Current

IO

60

mA

 

Emitter-Base Reverse Voltage

VEBR

0.5

V

 

Output Power Dissipation

PO

100

mW

 

COMMON

Total Power Dissipation

Ptot

200

mW

 

Isolation Voltage

Viso

5000

Vrms

3

Operating Temperature

Topr

-40~100

°C

 

Storage Temperature

Tstg

-55~125

°C

 

Soldering Temperature

Tsol

260

°C

4

 Note 1. 50% duty, 1ms P.W

 Note 2. ≤1μs P.W,300pps

 Note 3. AC For 1 Minute, R.H. = 40 ~ 60%

 Note 4. For 10 seconds

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文件大小:
2.8M
2024-04-23 16:42:00
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安芯微半导体(ISOMICRON)前身为美国仙童半导体光耦产品线事业部，于2014年通过管理层收购方式剥离并独立以芯片设计方案公司运营，芯片设计方案公司专注于光电隔离器件及半导体光电材料等方面的研发和设计，为欧系和台系光耦品牌提供设计方案及其技术服务，由其设计的产品已广泛应用于工控、机器人、医疗、新能源、轨道交通、智能家电等行业，产品遍及世界各地。

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