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IS281X-N

The IS281X-N series combine an AlGaAs infrared emitting diode as the emitter which is optically coupled to a silicon planar phototransistor detector in a plastic SSOP4 package with different lead forming options. With the robust coplanar double mold structure, IS281X-N series provide the most stable isolation feature.
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所属分类
晶体管光耦
数量
-
+
1
基本信息
产品参数

Features

  • High isolation 3750 VRMS
  • CTR flexibility available see order information
  • DC input with transistor output
  • Operating temperature range - 40°C to 110 °C
  • REACH compliance
  • Halogen free
  • MSL class 1
  • Regulatory Approvals
  • UL - UL1577
  • VDE - EN60747-5-5(VDE0884-5)
  • CQC - GB4943.1

Applications  

  • Switch mode power supplies
  • Programmable controllers
  • Household appliances
  • Office equipment
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ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

Value

Unit

Note

INPUT

Forward Current

IF

60

mA

 

Peak Forward Current

IFP

1

A

1

Reverse Voltage

VR

6

V

 

Input Power Dissipation

PI

100

mW

 

OUTPUT

Collector - Emitter Voltage

VCEO

80

V

 

Emitter - Collector Voltage

VECO

7

V

 

Collector Current

IC

50

mA

 

Output Power Dissipation

PO

150

mW

 

COMMON

Total Power Dissipation

Ptot

200

mW

 

Isolation Voltage

Viso

3750

Vrms

2

Operating Temperature

Topr

-40~110

°C

 

Storage Temperature

Tstg

-55~125

°C

 

Soldering Temperature

Tsol

260

°C

 

 Note 1. 100μs pulse, 100Hz frequency

 Note 2. AC For 1 Minute, R.H. = 40 ~ 60%

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2024-04-26 18:42:00
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安芯微半导体(ISOMICRON)前身为美国仙童半导体光耦产品线事业部，于2014年通过管理层收购方式剥离并独立以芯片设计方案公司运营，芯片设计方案公司专注于光电隔离器件及半导体光电材料等方面的研发和设计，为欧系和台系光耦品牌提供设计方案及其技术服务，由其设计的产品已广泛应用于工控、机器人、医疗、新能源、轨道交通、智能家电等行业，产品遍及世界各地。

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