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4N32, 4N33

The 4N32, 4N33 series combine an AlGaAs infrared emitting diode as the emitter which is optically coupled to a silicon planar darlington phototransistor detector in a plastic DIP6 package with different lead forming options.
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所属分类
晶体管光耦
数量
-
+
1
基本信息
产品参数

Features

  • High isolation 5000 VRMS
  • DC input with transistor output
  • Operating temperature range - 40 °C to 110 °C
  • RoHS & REACH Compliance
  • MSL class 1
  • Regulatory Approvals
  • UL - UL1577
  • VDE - EN60747-5-5(VDE0884-5)
  • CQC - GB4943.1

 

Applications  

  • Low power logic circuits
  • Telecommunications equipment
  • Portable electronics
  • Interfacing coupling systems of different potentials and impedances
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ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

Value

Unit

Note

INPUT

Forward Current

IF

60

mA

 

Peak Forward Current(t=10μs)

IFP

1

A

1

Reverse Voltage

VR

6

V

 

Power Dissipation(Ta=25°C)

PD

120

mW

 

OUTPUT

Collector - Emitter Voltage

VCEO

55

V

 

Collector-Base Breakdown Voltage

VCBO

55

V

 

Emitter - Collector Voltage

VECO

7

V

 

Emitter-Base Breakdown Voltage

VEBO

7

V

 

Collector Current

IC

150

mA

 

Power Dissipation(Ta=25°C)

PC

150

mW

 

COMMON

Total Power Dissipation

PTOT

200

mW

 

Isolation Voltage

VISO

5000

Vrms

2

Operating Temperature

Topr

-40~+110

°C

 

Storage Temperature

Tstg

-55~+125

°C

 

Soldering Temperature

Tsol

260

°C

 

 Note 1. AC For 1 Minute, R.H. = 40 ~ 60%

 Note 2. For 10 seconds

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文件大小:
2.6M
2024-04-23 16:40:00
所属人群:
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安芯微半导体(ISOMICRON)前身为美国仙童半导体光耦产品线事业部,于2014年通过管理层收购方式剥离并独立以芯片设计方案公司运营,芯片设计方案公司专注于光电隔离器件及半导体光电材料等方面的研发和设计,为欧系和台系光耦品牌提供设计方案及其技术服务,由其设计的产品已广泛应用于工控、机器人、医疗、新能源、轨道交通、智能家电等行业,产品遍及世界各地。

地       址:深圳市南山区西丽街道健兴科技大厦C 座二楼201-203

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