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3N150

BVDSS:1500V RDS(ON),Typ: 5.4Ω ID:3A
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所属分类
MOSFET
数量
-
+
1
基本信息
产品参数

Features

  • RoHS Compliant
  • RDS(ON),typ.=5.4 Ω@VGS=10V
  • Low Gate Charge Minimize Switching Loss
  • Fast Recovery Body Diode

 

Applications  

  • Adaptor
  • Charger
  • SMPS Standby Power
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UMABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)

Symbol

Parameter

Value

Unit

VDSS

Drain-to-Source Voltage

1500

V

VGSS

Gate-to-Source Voltage

±30

ID

Continuous Drain Current

3

A

IDM

Pulsed Drain Current at VGS=10V

12

EAS

Single Pulse Avalanche Energy,L=30mH

500

mJ

PD

Power Dissipation

186

W

Derating Factor above 25℃

1.49

W/℃

TL

Soldering Temperature

Distance of 1.6mm from case for 10 seconds

300

℃

TJ& TSTG

Operating and StorageTemperatureRange

-55 to 150

 Caution: Stresses greater than those listed in the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device.

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  • 3N150

    分类:

    MOSFET

    文件大小:

    3.3M

    时间:

    2024-04-23 00:00:00

    所属人群:

    所有人

3N150
分类:
MOSFET
文件大小:
3.3M
2024-04-23 00:00:00
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